存储市场的挑战：美光(MU.US)面临的下行压力

美光科技（MU.US）因DRAM和NAND闪存的存储严重短缺而获益，推动了需求和价格的市场快速上涨。过去6个月，战美DRAM和NAND现货市场价格分别上涨了5.5倍和近4倍，下行这为美光在这些领域带来了显著的压力增长。

需求激增

首席执行官Sanjay Mehrotra在2026财年第二季度财报电话会议上表示：“随着人工智能的存储发展，计算架构将更加依赖内存。市场因此，战美我们认为美光将成为人工智能领域的下行主要受益者之一，这不仅增加了内存的压力需求，同时也重新定义了内存在新时代的存储重要性。”

预计接下来几个月，市场内存市场的战美短缺情况将进一步加剧，价格有望上涨60%，下行这将引发营收的压力显著增长。由于客户急于确保长期内存供应，美光通过战略客户协议(SCA)实现了长期稳定的供应关系，而这些协议的期限远超传统的年度长期协议(LTA)。Mehrotra补充说：“在当前供应紧张的环境中，客户积极与我们签订这些长期协议，以增强供应的可预测性和稳定性。”

毛利可能达到新高

美光科技的毛利率持续上升，预计下季度将超过80%，创下历史新高。这一增长反映了更高的产品定价、良好的产品组合以及降低的成本，然而，市场对美光利润率可能已接近峰值的担忧日益加剧，预计将回落1000至2000个基点。部分原因在于应用材料（AMAT.US）等公司的数据暗示，NAND等存储芯片的增量需求可能低于预期。

美国银行分析师Vivek Arya表示：“尽管NAND闪存市场受益于数据中心产品的增长预期，但据统计，相关需求仅占NAND市场的少数比例。此外，美光第三季度毛利率预计为81.0%，可能接近周期高点，最终会回稳在人工智能时代之前的60-70%。”

资本开支激增

美光在2026和2027财年的资本支出计划，包括在台湾的铜罗工厂和美国的新工厂，显示出其积极扩张的战略，增加了行业过剩风险。从数字上看，美光已将2026财年的资本支出预期从200亿美元上调至250亿美元，由于在美国及其他地区新建晶圆厂，未来一年还将增加约100亿美元的开支。尽管盈利前景乐观，但美光的预期EV/EBITDA倍数低于历史中位数，导致估值结构较为复杂。

结论

技术指标表明，美光科技当前处于上升趋势，但股价处于震荡区间，投资者可以保持现有仓位，待更加明确的突破后再考虑增持。目前，美光强劲的内存需求被毛利率高峰和激进资本支出的风险所抵消。